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技术创新引领集成电路设备行业新机遇

过 去数年，半导体行业迎来了新 纳米等各个成熟节点上的产能需求也 曝光已经不能满足器件的要求，因此
一轮热潮。随着《国家集成电
正稳步增加。除了要求性能进步，芯
要通过多次曝光技术来完成。这一
路产业发展推进纲要》、“中国 片制造商更坚持在经济层面上对成本 技术有两大趋向 ：一种是 LELE 方法
制造 2025”战略和《“十三五”国家 进行控制，这就在生产制造环节对工 （litho-etch-litho-etch），即通过多次曝
战略性新兴产业发展规划》等文件的 艺设备提出更多全新挑战，包括生态 光刻蚀、再曝光再刻蚀 ；另一种是更
陆续出台以及国家集成电路产业投资 控制、原子层面的控制、宽深比的提 主流的自对准方法。后者对沉积和刻
基金的成立，我们欣喜地看到国家正 高、新材料等。 蚀的均匀度要求极高，而这正是泛林
无比坚定地投入对集成电路全产业链 集团的强项。例如，泛林集团研发了
的布局，中央和地方资金都汇聚集成 技术创新推动行业进步 一种晶圆静电吸附盘的温度控制新系
®
电路产业。根据国际半导体设备与 目前有几大技术推动行业向更高 统 Hydra ，在原有的多区域温控基础
材料协会（SEMI）发布的调查报告， 台阶迈进。 上进一步细化温控区域。该 Hydra ®
中国大陆半导体设备市场需求将从 首先，NAND 正从 2D 向 3D 迅 系统可对前续图形化过程中产生的均
2014 年的 43.7 亿美元增长到 2018 年 速转移，我们预见到 2020 年这一变 匀性问题进行针对性补偿，可大幅度
的 110.4 亿美元，并预计 2018 年中国 化都不会停止。它带来了更高的存储 提高自对准多次曝光技术的精准控
将成为全球第二大半导体设备市场。 密度与更低的成本，可以说是闪存最 制，从而使晶体管从平面走向立体成
核心、最根本性的变化。深入分析 为可能。
行业发展提出多样化的设备要求 3D NAND 可以发现，这一技术节点 中国集成电路制造产业正在不断
放眼国内，“中国制造 2025”战 本身也在不断向前进步 ：第一代 3D 加快发展脚步。我们相信，技术创新
略的提出，制造业向智能化的转型升 NAND 仅有 32 层，现在它已迅速进 是推动行业前行的重要动力源泉。在
级，以及政府大力推进半导体产业的 入 48 层，如今 64 层亦已开始成为主 整个创新技术的沿革趋势中，作为一
政策导向，都给中国半导体产业带来 流。在未来几年，3D NAND 在更广 家以技术为导向的公司，泛林集团
了无限机遇，其地位也变得日益重要。 为使用的同时，技术节点也会从 64 不断加大技术方面的投入并加强与业
“中国制造 2025”将发展智能制造确 层向 96 层、128 层跨进。对此，泛 界、学界的合作，支持我们在以上几
立为打造中国制造业竞争优势的重要 林集团推出了一系列领先技术，包括 大前沿技术方面的持续推进，全力助
手段。物联网、人工智能以及大数据 氧化物 / 氮化物（ONON）薄膜沉积、 力客户获得成功，为中国半导体行业
等新兴产业的勃兴都将加速智能制造 垂直通道刻蚀（Channel Hole Etch）、 的发展做出积极贡献。
的发展，而这一切的基础与核心都离 阶梯刻蚀（Staircase Etch）、位线钨
不开芯片。丰富的下游应用不仅推动 原子层填充（LFW）以及自对准成
了上游市场的快速增长，也带来了更 像工艺（SADP），能够帮助存储器芯
多样化的设备要求。 片制造商应对当前所面临的诸多关键
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此外，随着半导体行业的高度整 挑战，从而推动 3D NAND 尺寸持续
半导体芯科技
合，资本支出逐渐趋向理性，业界不 缩小。 www.cazkreatif.com
仅持续探索最先进的制程以满足各项 而在 DRAM 和逻辑方面，我们
前沿应用，在 45 纳米、40 纳米、28 看到了多次曝光技术的发展。一次

作者：刘二壮博士, 泛林集团副总裁兼中国区总经理

22 2018年 2/3月 半 导体 芯 科 技 www.cazkreatif.com