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技术
TECHNOLOGY 封 测

表它们到散热板的距离。 个相邻的水平切片来成像，如图 3 所 1 生成的图像中，看不到陶瓷基板的
这个陶瓷基板怎样？存在比较严 示。每个门限在纵深方向的厚度大约 痕迹。位于门限 3 下方的门限 4，门
重的翘曲。其翘曲会导致芯片散热不 为 65 微米。颜色表示距参考点的距 限 5 和门限 6 生成的图像看起来非常
均匀，并可能造成芯片开裂。红色和 离。 门限 1 位于陶瓷基板顶部，门限 像门限 3 的图像，但是暗色的陶瓷区
深蓝色区域之间的垂直距离约为 400 6 位于底部。 域有所增加。
微米。另外，那些小的气泡会阻挡热 图 4 是三个最上面的门限所生成 平整度的超声测量不仅局限于
量到达散热板。这个 IGBT 模块可能 的图像。门限 3 的图像中间区域是暗 IGBT 模块和 BGA。对晶圆片进行处理
不适合在重要的应用中长期使用。 色的，因为在这个深度处的门限中心 之前（如切割等），扫描晶圆测量其平
其他的超声成像方法也可以用来 位于整块基板材料的中间，因此到参 整度，可以避免对不平整的晶圆造成
显示类似该陶瓷基板的翘曲程度。一 考点的距离相同。门限 3 的图像靠外 毁坏。Sonoscan 开发了一套系统可以
种方法就是设置几个到多个门限，每 部的颜色区域表示在该深度处陶瓷基 在扫描晶圆缺陷的同时，调整传感器
一个门限都产生一张超声图像。这样 板和焊锡的界面似山丘下坡的形状。 的高度以包含晶圆上的每个芯片。
可以生成该样品的一系列的非破坏性 在门限 2 生成的图像中，由于该
®
的水平切片图像。 切片的深度靠近翘曲区域的顶部，所 C-SAM 是 Sonoscan, Inc. 的注
图 2 所示的基板稍后会被分成六 以包含的陶瓷基板材料很少。在门限 册商标。

Imec 与 Cadence 成功流片首款 3nm 测试芯片

2018 年 3 月 1 日 – 全球领先的 性能和面积（PPA）目标的同时缩短 半导体技术与系统事业部执行副总
纳米电子与数字技术研发创新中心 产品上市时间。Cadence Genus 综合 裁 An Steegan 表示。”我们在测试芯
imec 与楷登电子（美国 Cadence 公 解决方案是新一代高容量 RTL 综合 片上投入了大量精力，助力互连参数
司，NASDAQ: CDNS）今日联合宣 及物理综合引擎，满足最新 FinFET 的可测量和优化，以及 3nm 制程工
布，得益于双方的长期深入合作，业 工艺的节点需求，并将 RTL 设计效 艺的验证。同时，Cadence 数字解决
界首款 3nm 测试芯片成功流片。该 率提高达 10 倍。如需了解 Innovus 方案也让 3nm 工艺的实现万事俱备。
项目采用极紫外光刻（EUV）技术， 设计实现系统的更多内容，请访问 Cadence 完美集成的工作流让该解决
193 浸没式（193i）光刻技术设计规 www.cadence.com/go/innovus3nm ；如 方案的采纳更加简单，帮助我们的工
®
则，以及 Cadence Innovus ™ 设计 需了解 Genus 综合解决方案的更多 程设计团队在开发 3nm 规则集的时
实现系统和 Genus ™ 综合解决方案， 内容，请访问 www.cadence.com/go/ 候保持高效。”
旨在实现更为先进的 3nm 芯片设计。 genus3nm。 “Imec 领先的基础设施让生产
Imec 为测试芯片选择了业界通用的 项目期间，EUV 技术及 193i 光 前创新领先于业界需求成为可能，
64-bit CPU，并采用定制 3nm 标准单 刻规则皆经过测试，以满足所需分辨 是 EDA 行业的关键合作伙伴，“
元库及 TRIM 金属的流程，将绕线 率 ；并在两种不同的图案化假设下比 Cadence 公司全球副总裁兼数字与签
的中心间距缩短至 21nm。Cadence 较了 PPA 目标。如需了解有关 EUV 核事业部总经理 Chin-chi Teng 博士
与 imec 携手助力 3nm 制程工艺流程 技术及 193i 技术的更多内容，请访问 表示。“我们与 imec 的合作在 2015
的完整验证，为新一代设计创新保 https://www.imec-int.com/en/articles/ 年成功流片业界首款 5nm 芯片的基
驾护航。 imec-presents-patterning-solutions-for- 础上继续深化，此次 3nm 测试芯片
Cadence Innovus 设计实现系统 n5-equivalent-metal-layers。 的成功流片标志着全新的里程碑，继
是大规模的并行物理实现系统，帮助 “随着芯片制程工艺深入到 3nm 续引领未来先进节点移动设计领域的
工程师交付高质量设计，在满足功耗、 节点，互连参数显得愈加关键，“imec 变革。”

42 2018年 2/3月 半 导体 芯 科 技 www.cazkreatif.com